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nanopartículas de nitruro de galio

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Nombre del producto

Nombre:Nanopartículas de nitruro de galio

Descripción general del producto

La investigación y aplicación de materiales de GaN se encuentran actualmente a la vanguardia y en un punto de referencia en la investigación global de semiconductores. Los materiales semiconductores compuestos de banda prohibida ancha III-V, representados por el nitruro de galio (GaN), presentan alta eficiencia cuántica interna y externa, alta eficiencia luminosa, alta conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la radiación, resistencia a ácidos y álcalis, alta resistencia y alta dureza. Actualmente son los materiales semiconductores más avanzados del mundo. A temperatura ambiente, el GaN es insoluble en agua, ácidos y álcalis, pero se disuelve muy lentamente en soluciones alcalinas calientes. El ancho de banda prohibida del GaN a temperatura ambiente es de 3,4 eV, lo que lo convierte en un excelente material optoelectrónico que puede lograr una emisión completa de luz visible desde el infrarrojo hasta el ultravioleta, así como una pantalla de estado sólido totalmente óptica con los colores primarios rojo, amarillo y azul. Los cristales de GaN generalmente tienen estructura de wurtzita hexagonal (fase alfa) y estructura de esfalrita cúbica (fase beta).

Parámetros técnicos

Apariencia: Pólvora negra

Tamaño de partícula: 5-3 μm (SEM)

Ingrediente: GaN

Pureza (2 % en peso [EDS])

Características del producto

Banda prohibida amplia: tiene una banda prohibida amplia, lo que le permite operar de manera estable en condiciones extremas, como alta temperatura, alta potencia y alta frecuencia.

Alta movilidad de electrones: los electrones pueden moverse rápidamente en él, lo que favorece el logro de una transferencia de electrones a alta velocidad.

Buen rendimiento óptico: capaz de emitir luz en el rango de longitud de onda ultravioleta al azul.

Resistencia a altas temperaturas y altas presiones: capaz de mantener un buen rendimiento en entornos de alta temperatura y alta presión.


Campos de aplicación

Diodos emisores de luz (LED): Fabricación de luces LED blancas eficientes y de bajo consumo, ampliamente utilizadas en iluminación doméstica, comercial e industrial. Por ejemplo, en el sistema de iluminación de grandes centros comerciales, el uso de luces LED de nitruro de galio puede reducir significativamente el consumo de energía.

En el campo de la electrónica:

Dispositivos de potencia: Fabricación de transistores de alta potencia y alta frecuencia, como los transistores de efecto de campo (FET). Por ejemplo, en el amplificador de potencia de las estaciones base de comunicación 5G, los dispositivos de nitruro de galio pueden mejorar la eficiencia de transmisión de la señal y la cobertura.

Dispositivos de RF: se utilizan para aplicaciones de RF como comunicaciones por radar y satélite.

En el campo de los láseres:

Fabricación de diodos láser en las bandas de luz ultravioleta y azul para aplicaciones como impresión láser y almacenamiento óptico.


Información relacionada

Envíe un correo electrónico para obtener los datos de caracterización detallados.

Correo electrónico:sales@xfnano.com