Película continua monocapa de MoS2 sobre SiO2/Si

Nombre del producto

Nombre: Película continua monocapa de MoS2 sobre SiO2/Si

^{Descripción general del producto}

El método CVD (deposición química en fase de vapor) desempeña un papel importante en la preparación de materiales disulfuro, especialmente en la preparación de disulfuros metálicos laminares bidimensionales, como el disulfuro de molibdeno (MoS₂) y el disulfuro de tungsteno (WS₂), entre otros. En la preparación de materiales disulfuro, el método CVD utiliza precursores gaseosos (como una fuente de metal y una fuente de azufre) para que experimenten reacciones químicas en la superficie del sustrato calentado, generando la película delgada de disulfuro deseada. Según el tipo de disulfuro objetivo, las fuentes metálicas más comunes incluyen polvos metálicos, haluros metálicos, etc., mientras que las fuentes de azufre incluyen polvo de azufre y sulfuro de hidrógeno, entre otras.

Los dicalcogenuros metálicos laminares bidimensionales han atraído gran atención debido a sus excelentes propiedades optoelectrónicas, ancho de banda ajustable y excelente estabilidad al aire. El método CVD, como uno de los métodos más eficaces para la preparación de estos materiales, presenta amplias posibilidades de aplicación en campos como dispositivos optoelectrónicos, sensores y almacenamiento de energía. Por ejemplo, materiales bidimensionales como el disulfuro de molibdeno y el disulfuro de tungsteno se han utilizado ampliamente en campos como fotodetectores, células solares y supercondensadores.

^{Parámetros técnicos}

MoS2 Tamaño: 8 mm x 8 mm

Espesor: 0,6-0,8 nm

Sustrato: SiO2/Si

^{Características del producto}

Preparación a gran escala: El método CVD puede preparar películas de disulfuro uniformes y de área grande, satisfaciendo las necesidades de aplicaciones a gran escala.

Alta calidad: Al optimizar las condiciones de reacción, se pueden preparar películas de disulfuro de alta calidad y alta pureza con excelentes propiedades físicas y químicas.

Controlabilidad: El método CVD puede controlar con precisión parámetros como el espesor de la película, la morfología y la calidad del cristal, brindando la posibilidad de preparar materiales disulfuro con funciones específicas.

Campos de aplicación

Transistor: El disulfuro metálico bidimensional permite la fabricación de transistores de alto rendimiento gracias a su singular estructura electrónica. El método CVD permite la producción de películas delgadas de gran superficie y alta calidad para satisfacer las necesidades de fabricación de transistores.

Sensores: Los materiales de disulfuro también se utilizan ampliamente en el campo de los sensores, como sensores de humedad, sensores de gas, etc. La película delgada de disulfuro preparada por el método CVD tiene una excelente sensibilidad y estabilidad, lo que puede mejorar el rendimiento de los sensores.

Fotodetector: El disulfuro metálico bidimensional se usa ampliamente en fotodetectores debido a su excelente eficiencia de absorción de luz y su banda prohibida ajustable.

Supercondensadores: Las películas de disulfuro preparadas mediante el método CVD pueden proporcionar un área activa más grande y un mejor rendimiento de transferencia de electrones, mejorando así la densidad de energía y la densidad de potencia de los supercondensadores.

Ingeniería de tejidos: La tecnología CVD permite preparar materiales con alta biocompatibilidad y actividad biológica, con potenciales aplicaciones en el campo de la ingeniería de tejidos. Por ejemplo, los materiales disulfuro pueden utilizarse para preparar andamiajes o recubrimientos biológicos, promoviendo el crecimiento celular y la reparación tisular.

Administración de fármacos: Las películas de disulfuro preparadas mediante el método CVD también pueden utilizarse en sistemas de administración de fármacos. Estas películas permiten cargar las moléculas del fármaco y controlar su velocidad de liberación, logrando un tratamiento preciso.

Catalizador: Las películas de disulfuro preparadas mediante el método CVD tienen una alta área de superficie específica y una morfología uniforme, lo que favorece la reacción catalítica.

Electrónica flexible: Con el desarrollo de la tecnología de electrónica flexible, los dicalcogenuros metálicos bidimensionales se pueden utilizar para preparar electrodos o capas funcionales para dispositivos electrónicos flexibles debido a su excelente flexibilidad y propiedades mecánicas.

^{Información relacionada}

^{Envíe un correo electrónico para obtener los datos de caracterización detallados.}

Correo electrónico:sales@xfnano.com