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CVD Graphène sur Si 1cmx1cm

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Nom du produit Nom : CVD Graphène sur Si 1 cmx1 cm Présentation du produit Le processus de préparation du graphène par CVD comprend principalement trois facteurs d'influence importants : le substrat, le précurseur et les conditions de croissance. Parmi eux, le substrat est une condition importante pour la croissance du graphène. Actuellement, 8 à 10 métaux de transition (tels que Fe, Ru, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Au) et des alliages (tels que Co Ni, Au Ni, Ni Mo, acier inoxydable). Le mécanisme de préparation du graphène par CVD varie selon les différents matériaux de substrat, principalement divisé en deux mécanismes de préparation : la carburation et le mécanisme de dépôt de carbone, qui implique l'infiltration de carbone craqué dans le substrat à haute température et la formation de graphène à la surface lors d'un refroidissement rapide ; Le mécanisme catalytique de surface fait référence à la formation de graphène à la surface du carbone après craquage à haute température lorsqu'il entre en contact avec un métal spécifique (tel que le cuivre), et protège l'échantillon contre d'autres dépôts de films minces. Par conséquent, ce mécanisme est plus susceptible de former du graphène monocouche. Français Dans les applications pratiques, la méthode de synthèse du film de graphène CVD peut varier en fonction des exigences et des conditions expérimentales spécifiques. Les chercheurs optimisent et ajustent généralement le processus de synthèse en fonction des performances cibles et des scénarios d'application. Parallèlement, de nouvelles méthodes et technologies de synthèse sont constamment développées et explorées pour améliorer la qualité et les performances des films de graphène. Habituellement, le graphène est d'abord cultivé sur un substrat métallique, puis recouvert par centrifugation de PMMA et transféré sur des substrats tels que l'oxyde de silicium, le quartz, le verre, le PET ou un treillis de cuivre. Paramètres techniques Taille : 1 cm x 1 cm Nombre de couches : une seule couche, 2 couches, 3-5 couches, 6-8 couches Caractéristiques du produit Haute qualité : avec une pureté et une cristallinité élevées ; Bonnes performances électriques : mobilité élevée des porteurs et faible résistivité ; Haute transparence : a une bonne transparence à la lumière visible ; Haute résistance mécanique : a une bonne flexibilité et tolérance ; Bonne stabilité chimique : présente une bonne stabilité à température ambiante. Domaines d'application Dispositifs électroniques : tels que les transistors à effet de champ, les condensateurs, etc. Composants optiques : films conducteurs transparents, écrans tactiles, etc. Capteurs : capteurs chimiques, biocapteurs, etc. Secteur de l'énergie : cellules solaires, supercondensateurs, etc. Matériaux composites : composites avec d'autres matériaux pour améliorer les performances. Informations complémentaires : veuillez nous contacter par courriel pour obtenir les données de caractérisation détaillées. Courriel : sales@xfnano.com