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Nanoparticules de nitrure de gallium
Détails du produit
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Nom du produit
Nom : Nanoparticules de nitrure de gallium
Présentation du produit
La recherche et l'application des matériaux GaN sont actuellement à l'avant-garde et au cœur de la recherche mondiale sur les semi-conducteurs. Les matériaux semi-conducteurs composés à large bande interdite III-V, représentés par le nitrure de gallium (GaN), présentent un rendement quantique interne et externe élevé, une efficacité lumineuse élevée, une conductivité thermique élevée, une résistance aux températures élevées, aux radiations, aux acides et aux bases, une résistance mécanique et une dureté élevées. Ce sont actuellement les matériaux semi-conducteurs les plus avancés au monde. À température ambiante, le GaN est insoluble dans l'eau, les acides et les bases, mais se dissout très lentement dans les solutions alcalines chaudes. La largeur de bande interdite du GaN à température ambiante est de 3,4 eV, ce qui en fait un excellent matériau optoélectronique capable d'obtenir une émission de lumière visible complète, de l'infrarouge à l'ultraviolet, ainsi qu'un affichage à semi-conducteurs tout optique avec les couleurs primaires rouge, jaune et bleu. Les cristaux de GaN présentent généralement une structure wurtzite hexagonale (phase alpha) et une structure sphalérite cubique (phase bêta).
Paramètres techniques
Apparence : Poudre noire
Taille des particules : 5 à 3 μm (SEM)
Ingrédient : GaN
Pureté (2 % en poids) (EDS)
Caractéristiques du produit
Large bande interdite : Il possède une large bande interdite, ce qui lui permet de fonctionner de manière stable dans des conditions extrêmes telles que des températures élevées, une puissance élevée et une fréquence élevée.
Mobilité électronique élevée : les électrons peuvent s'y déplacer rapidement, ce qui est propice à la réalisation d'un transfert d'électrons à grande vitesse.
Bonnes performances optiques : capable d'émettre de la lumière dans la gamme de longueurs d'onde ultraviolettes à bleues.
Résistance aux hautes températures et hautes pressions : capable de maintenir de bonnes performances dans des environnements à haute température et haute pression.
Domaines d'application
Diodes électroluminescentes (DEL) : Fabrication de LED blanches efficaces et économes en énergie, largement utilisées dans l'éclairage domestique, commercial et industriel. Par exemple, dans les systèmes d'éclairage des grands centres commerciaux, l'utilisation de LED à base de nitrure de gallium permet de réduire considérablement la consommation d'énergie.
Dans le domaine de l'électronique :
Dispositifs de puissance : Fabrication de transistors haute puissance et haute fréquence, tels que les transistors à effet de champ (FET). Par exemple, dans l'amplificateur de puissance des stations de base de communication 5G, les dispositifs en nitrure de gallium peuvent améliorer l'efficacité de la transmission du signal et la portée.
Appareils RF : utilisés pour les applications RF telles que les communications radar et par satellite.
Dans le domaine des lasers :
Fabrication de diodes laser dans les bandes de lumière ultraviolette et bleue pour des applications telles que l'impression laser et le stockage optique.
Informations connexes
Veuillez envoyer un e-mail pour obtenir les données de caractérisation détaillées.
Courriel : sales@xfnano.com